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电力电子技术习题答案-王兆安--西安交通大学--电力电子技术答案

时间:2022-11-22 04:03:13    下载该word文档
电力电子技术课后习题答案1电力电子器件1.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)或:uAK>0uGK>02.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。3.1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均Im,试计算各波形的电流平均值Id1Id2Id3与电流有效值I1I2I304a20454b202c21-43图1-43晶闸管导电波形2Im110.2717Im解:aId1==(Isintd(tm2π42π2I1=124(Imsint2d(t=Im2310.4767Im422I110.5434ImbId2=Imsintd(t=m(2π4πI2=12(Imsintd(t=4Im2310.898Im2212cId3=Imd(t=0.25Im2π01I3=220Imd(t=0.5Im24.上题中如果不考虑安全裕量,100A的晶闸管能送出的平均电流Id1Id2Id3为多少?这时,相应的电流最大值Im1Im2Im3各为多少?解:额定电流IT(AV=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知IaIm1Id10.2717Im189.48329.350.4767
bIm2I232.90,0.6741Id20.5434Im2126.561Id3=Im3=78.54cIm3=2I=314,5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,由P1N1P2N1P2N2构成两个晶体管V1V2,分别具有共基极电流增益12由普通晶闸管的分析可得,1+2=1是器件临界导通的条件。1+21,两个等效晶体管过饱和而导通;1+21,不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1GTO在设计时2较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2GTO导通时的1+2更接近于1,普通晶闸管1+21.15,而GTO则为1+21.05GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。6.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?答:电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过20的击穿电压,所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点:一般在不用时将其三个电极短接;装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。7.IGBTGTRGTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。1
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